Characterization of HTRB stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures - Archive ouverte HAL

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Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2017

Characterization of HTRB stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures

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Niemat Moultif

Fonction : Auteur
PersonId : 750874
IdHAL : moultif
ORCID : 0000-0002-9765-2106
IdRef : 223732303

Groupe de physique des matériaux

Eric Joubert

Fonction : Auteur
PersonId : 175065
IdHAL : eric-joubert
ORCID : 0000-0001-6585-4603
IdRef : 083021450

Groupe de physique des matériaux

Mohamed Lamine Masmoudi

Fonction : Auteur
PersonId : 175174
IdHAL : mohamed-masmoudi
IdRef : 158684656

Groupe de physique des matériaux

O. Latry

Fonction : Auteur
PersonId : 175169
IdHAL : olivierl
ORCID : 0000-0002-2121-8864
IdRef : 151805482

Groupe de physique des matériaux

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Etienne Talbot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01765955

Soumis le : vendredi 13 avril 2018-11:23:53

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Dates et versions

hal-01765955 , version 1 (13-04-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01765955 , version 1
DOI : 10.1016/j.microrel.2017.07.013

Citer

Niemat Moultif, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry. Characterization of HTRB stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures. Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.243 - 248. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.013⟩. ⟨hal-01765955⟩

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