Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Isabelle Labau : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01763581
Soumis le : mercredi 11 avril 2018-11:36:06
Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:23
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01763581 , version 1
Citer
Alain Claverie, Nikolay Cherkashin. . Effect of the Order of He and H Ion Sequential Implantations on Damage Generation and Subsequent Thermal Evolution of Defects in Silicon. SMMIB 2017, 2017, Lisbonne, Portugal. ⟨hal-01763581⟩
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