Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories

G. Molas (1) , Marc Bocquet (1, 2) , J. Colonna (1) , V. Vidal (1) , R. Kies (1) , H. Grampeix (1) , F. Martin , A. Papon (1) , H. Dansas (1) , P. Brianceau (1) , C. Licitra (1) , J. Barnes (1) , G. Pananakakis (2) , G. Ghibaudo (2) , B. de Salvo (1)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

G. Molas, Marc Bocquet, J. Colonna, V. Vidal, R. Kies, et al.. Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories. Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application, Apr 2010, Hsin Chu, France. ⟨10.1109/VTSA.2010.5488949⟩. ⟨hal-01745640⟩