Measurement of the valence-band offset at the epitaxial MgO-GaAs(001) heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006

Measurement of the valence-band offset at the epitaxial MgO-GaAs(001) heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy

Y. Lu
  • Fonction : Auteur
Jean-Christophe Le Breton
CV
Pascal Turban
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 896
  • IdHAL : pturban
Institut de Physique de Rennes
Bruno Lépine
Institut de Physique de Rennes
CV
Philippe Schieffer
Institut de Physique de Rennes
G. Jézéquel
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat]

Bruno Lépine  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01743403

Soumis le : lundi 26 mars 2018-14:03:02

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:06

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Dates et versions

hal-01743403 , version 1 (26-03-2018)

Identifiants

Citer

Y. Lu, Jean-Christophe Le Breton, Pascal Turban, Bruno Lépine, Philippe Schieffer, et al.. Measurement of the valence-band offset at the epitaxial MgO-GaAs(001) heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 2006, 88 (4), ⟨10.1063/1.2167847⟩. ⟨hal-01743403⟩

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