Static strain tuning of quantum dots embedded in a photonic wire

D. Tumanov 1, 2 N. Vaish 1, 2 H. Nguyen 1, 2 Y. Curé 3 J.-M Gérard 3 J. Claudon 3 F. Donatini 4 J.-Ph. Poizat 2, *
* Auteur correspondant
3 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/INAC/PHELIQS
4 POM - Optique et microscopies
NEEL - Institut Néel
Abstract : We use strain to statically tune the semiconductor band gap of individual InAs quantum dots (QDs) embedded in a GaAs photonic wire featuring very efficient single photon collection efficiency. Thanks to the geometry of the structure, we are able to shift the QD excitonic transition by more than 20 meV by using nano-manipulators to apply the stress. Moreover, owing to the strong transverse strain gradient generated in the structure, we can relatively tune two QDs located in the wire waveguide and bring them in resonance, opening the way to the observation of collective effects such as superradiance.
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Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2018, 112 (12), pp.123102. 〈10.1063/1.5025313〉
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Contributeur : Jean-Philippe Poizat <>
Soumis le : mercredi 21 mars 2018 - 18:44:53
Dernière modification le : vendredi 30 mars 2018 - 09:39:11

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D. Tumanov, N. Vaish, H. Nguyen, Y. Curé, J.-M Gérard, et al.. Static strain tuning of quantum dots embedded in a photonic wire. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2018, 112 (12), pp.123102. 〈10.1063/1.5025313〉. 〈hal-01740323〉

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