Article Dans Une Revue
Materials Research Society Symposium - Proceedings
Année : 2001
Nikolay Cherkashin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01736124
Soumis le : vendredi 16 mars 2018-16:08:56
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01736124 , version 1
Citer
N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gösele, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, et al.. Reduction of defect density in structures with InAs-GaAs quantum dots grown at low temperature for 1.55 ?m range. Materials Research Society Symposium - Proceedings, 2001, 672, pp.O8.5.1-O8.5.6. ⟨hal-01736124⟩
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