Solid phase epitaxy - Activation and deactivation of boron in ultra-shallow junctions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Solid phase epitaxy - Activation and deactivation of boron in ultra-shallow junctions

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01736100 , version 1 (16-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01736100 , version 1

Citer

W. Lerch, S. Paul, J. Niess, Fuccio Cristiano, Y. Lamrani, et al.. Solid phase epitaxy - Activation and deactivation of boron in ultra-shallow junctions. Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices , 2004, indéterminée, Unknown Region. pp.90-105. ⟨hal-01736100⟩
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