Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates

Nicolas Chauvin (1) , M. Hadj Alouane (1, 2) , R. Anufriev (1) , H. Khmissi (3, 2) , K. Naji (3) , G. Patriarche (4) , C. Bru-Chevallier (1) , M. Gendry (3)

1 INL - S&N - INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
2 Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON)
3 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Nicolas Chauvin, M. Hadj Alouane, R. Anufriev, H. Khmissi, K. Naji, et al.. Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates. Applied Physics Letters, 2012, 100 (1), ⟨10.1063/1.3674985⟩. ⟨hal-01735186⟩