Structural and electrical characteristics of GaN, n-GaN and A1 x Ga 1−x N

P. Arivazhagan; R. Ramesh; Ramadoss Roop Kumar; Eric Faulques; Fouad Bennis; K. Baskar

doi:10.1016/j.jallcom.2015.09.102

Article Dans Une Revue Journal of Alloys and Compounds Année : 2016

Structural and electrical characteristics of GaN, n-GaN and A1 x Ga 1−x N

, (1) , , (2) , (3) ,

1
2
3

P. Arivazhagan

Fonction : Auteur

R. Ramesh

Fonction : Auteur

Crystal Growth Centre [Chennai]

Ramadoss Roop Kumar

Fonction : Auteur

Eric Faulques

Fonction : Auteur
PersonId : 1354293
IdHAL : eric-faulques
ORCID : 0000-0002-7761-8509
IdRef : 031069886

Institut des Matériaux Jean Rouxel

Fouad Bennis

Fonction : Auteur
PersonId : 17917
IdHAL : fouad-bennis
ORCID : 0000-0001-7793-3704
IdRef : 081564481

Institut de Recherche en Communications et en Cybernétique de Nantes

CV

K. Baskar

Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Richard BASCHERA : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01723595

Soumis le : lundi 5 mars 2018-16:07:49

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Dates et versions

hal-01723595 , version 1 (05-03-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01723595 , version 1
DOI : 10.1016/j.jallcom.2015.09.102

Citer

P. Arivazhagan, R. Ramesh, Ramadoss Roop Kumar, Eric Faulques, Fouad Bennis, et al.. Structural and electrical characteristics of GaN, n-GaN and A1 x Ga 1−x N. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 656, pp.110 - 118. ⟨10.1016/j.jallcom.2015.09.102⟩. ⟨hal-01723595⟩

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