A new approach to determine active doping profiles of bipolar transistors using electrical measurements and a physical device simulator

I. Hachicha; P. Fouillat; T. Zimmer; J.P. Dom

doi:10.1109/ICMTS.1996.535662

Communication Dans Un Congrès Année : 1996

A new approach to determine active doping profiles of bipolar transistors using electrical measurements and a physical device simulator

, (1) , (1) ,

1

I. Hachicha

Fonction : Auteur

P. Fouillat

Fonction : Auteur

Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

T. Zimmer

Fonction : Auteur

Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

J.P. Dom

Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01721688

Soumis le : vendredi 2 mars 2018-13:55:24

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Dates et versions

hal-01721688 , version 1 (02-03-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01721688 , version 1
DOI : 10.1109/ICMTS.1996.535662

Citer

I. Hachicha, P. Fouillat, T. Zimmer, J.P. Dom. A new approach to determine active doping profiles of bipolar transistors using electrical measurements and a physical device simulator. International Conference on Microelectronic Test Structures, Mar 1996, Trento, France. ⟨10.1109/ICMTS.1996.535662⟩. ⟨hal-01721688⟩

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