Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS 2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Chinese Journal of Semiconductors Année : 2015
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Dates et versions

hal-01721079 , version 1 (01-03-2018)

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Citer

Anna Krivosheeva, Victor Shaposhnikov, Victor Borisenko, Jean-Louis Lazzari, Chow Waileong, et al.. Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS 2. Chinese Journal of Semiconductors, 2015, 36 (12), ⟨10.1088/1674-4926/36/12/122002⟩. ⟨hal-01721079⟩
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