Comportement en frottement sec de dépôts SiCx(H) (1,5 < x < 3) élaborés par PACVD micro-onde sur ACIER

Christine Boher (1) , M Ducarroir (2) , T Gregoire , S Scordo (2)

1 Centre Matériaux - Ecole des Mines Albi-Carmaux
2 UPVD - Université de Perpignan Via Domitia

Des dépôts minces Si-C, riches en carbone, sont obtenus à partir d'un réacteur CVD plasma assisté par micro-ondes. Leur composition chimique et leurs propriétés mécaniques sont fortement dépendantes des paramètres de dépôt tels que la température d'élaboration et l'introduction de gaz dans l'enceinte. De même, ces paramètres induisent de grandes différences dans le comportement au frottement et les mécanismes d'usure des dépôts. Plus la température d'élaboration est importante, plus le coefficient de frottement est faible (≤ 0,1) sans présence de lubrifiant L'usure est douce et des analyses de surface ont mis en évidence la présence d'un film de transfert adhérent à l'antagoniste. En présence d'hydrogène dans le réacteur, les dépôts ont un comportement fragile et s'écaillent dès le début du glissement. La microstructure, les propriétés mécaniques et le comportement tribologique sont étroitement liés.

Domaines: Mécanique des matériaux [physics.class-ph]

Christine Boher, M Ducarroir, T Gregoire, S Scordo. Comportement en frottement sec de dépôts SiCx(H) (1,5 < x < 3) élaborés par PACVD micro-onde sur ACIER. Annales de Chimie - Science des Matériaux, 1998, 23 (5-6), pp.879-890. ⟨10.1016/S0151-9107(99)80028-2⟩. ⟨hal-01717279⟩