200V, 4MV/cm lateral diamond MOSFET

Type de document :
Communication dans un congrès
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2017, San Francisco, United States. IEEE, 〈10.1109/IEDM.2017.8268458〉
Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01701734
Contributeur : Thanh Toan Pham <>
Soumis le : mardi 6 février 2018 - 09:53:11
Dernière modification le : mercredi 13 février 2019 - 10:06:06

Identifiants

Collections

Citation

T. T Pham, J. Pernot, C. Masante, D. Eon, E. Gheeraert, et al.. 200V, 4MV/cm lateral diamond MOSFET. 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2017, San Francisco, United States. IEEE, 〈10.1109/IEDM.2017.8268458〉. 〈hal-01701734〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

109