Carrier dynamics of strain-engineered InAs quantum dots with (In)GaAs surrounding material - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Optics Année : 2017

Carrier dynamics of strain-engineered InAs quantum dots with (In)GaAs surrounding material

O. Nasr
  • Fonction : Auteur
Nicolas Chauvin
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
H. Hadj Alouane M
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]
C. Bru-Chevallier
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
CV
L. Sfaxi
  • Fonction : Auteur
B. Ilahi
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Physique [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique [physics.optics] Optique / photonique Matériaux

Laboratoire INL UMR5270 Inl  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01701515

Soumis le : lundi 5 février 2018-18:17:25

Dernière modification le : dimanche 14 janvier 2024-17:56:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01701515 , version 1 (05-02-2018)

Identifiants

Citer

O. Nasr, Nicolas Chauvin, H. Hadj Alouane M, H. Maaref, C. Bru-Chevallier, et al.. Carrier dynamics of strain-engineered InAs quantum dots with (In)GaAs surrounding material. Journal of Optics, 2017, 19, pp.025401. ⟨10.1088/2040-8986/aa52d6⟩. ⟨hal-01701515⟩

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