AlAs/InAlAs superlattice sacrificial layer for epitaxial lift-off of solar cells within the InP lattice parameter

François Chancerel (1, 2, 3) , Philippe Regreny (1) , Jean-Louis Leclercq (4) , Solène Brottet (5) , Michel Gendry (1) , Nicholas Blanchard (6) , A. Jaouad (2, 3) , M. Darmon (2, 3) , S. Fafard (2, 3) , Vincent Aimez (2, 3)

1 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
2 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
3 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
4 INL - Photonique - INL - Nanophotonique
5 INL - Nanolyon - INL - Plateforme Technologique Nanolyon
6 ILM - Institut Lumière Matière [Villeurbanne]

no abstract

Domaines: Physique [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Optique [physics.optics]; Optique / photonique; Matériaux

François Chancerel, Philippe Regreny, Jean-Louis Leclercq, Solène Brottet, Michel Gendry, et al.. AlAs/InAlAs superlattice sacrificial layer for epitaxial lift-off of solar cells within the InP lattice parameter. 13th International Conference on Concentrated PhotoVoltaics Systems, May 2017, Ottawa, Canada. 2017. ⟨hal-01701472⟩