Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices

Othman Dhouha (1) , Stéphane Lefebvre (1) , Mounira Berkani (1) , Zoubir Khatir (2) , Ali Ibrahim (1) , Arezki Bouzourene (3)

1 SATIE - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie
2 IFSTTAR/COSYS/LTN - Laboratoire des Technologies Nouvelles
3 Thales Research and Technology [Palaiseau]

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Energie électrique

Othman Dhouha, Stéphane Lefebvre, Mounira Berkani, Zoubir Khatir, Ali Ibrahim, et al.. Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices. ESREF, 2013, Arcachon, France. ⟨hal-01700475⟩