Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique

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Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (6), pp.1127 - 1135. 〈10.1016/j.microrel.2011.02.002〉
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Contributeur : Tien Anh Nguyen <>
Soumis le : mardi 30 janvier 2018 - 10:43:17
Dernière modification le : mardi 29 mai 2018 - 12:50:37

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T.A. Nguyen, P.-Y. Joubert, S. Lefebvre, G. Chaplier, L. Rousseau. Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (6), pp.1127 - 1135. 〈10.1016/j.microrel.2011.02.002〉. 〈hal-01696146〉

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