Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode

Alexis Divay
  • Fonction : Auteur
Groupe de physique des matériaux
Cédric Duperrier
  • Fonction : Auteur
ASTRE [Cergy-Pontoise]
Farid Temcamani
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 885826
Laboratoire QUARTZ
O. Latry
Groupe de physique des matériaux
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Cédric Duperrier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01687227

Soumis le : jeudi 18 janvier 2018-11:47:22

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01687227 , version 1 (18-01-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01687227 , version 1

Citer

Alexis Divay, Cédric Duperrier, Farid Temcamani, O. Latry. Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode. ESREF 2016, Sep 2016, Saale, Germany. ⟨hal-01687227⟩

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