Procédé de Dépôt d'un revetêment par DLI-MOCVD avec recyclage direct du composé précurseur - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2017

Procédé de Dépôt d'un revetêment par DLI-MOCVD avec recyclage direct du composé précurseur

Résumé

Procédé de dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat d'un revêtement protecteur composé d'au moins une couche protectrice comprenant un métal de transition M: a) disposer dans un réservoir d'alimentation une solution mère contenant un solvant hydrocarboné dépourvu d'atome d'oxygène et un précurseur de type bis(arène) contenant le métal de transition M à déposer, b) vaporiser ladite solution mère et l'introduire dans un réacteur de CVD pour réaliser le dépôt de la couche protectrice sur ledit substrat et le cas échéant un inhibiteur d'incorporation de carbone, c) collecter en sortie du réacteur une fraction de l'effluent gazeux comprenant le précurseur non consommé, les sous-produits aromatiques du précurseur et le solvant, ces espèces formant ensemble une solution fille, et d) déverser la solution fille ainsi obtenue dans le réservoir d'alimentation pour obtenir une nouvelle solution mère apte à être utilisée à l'étape a)

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01677460 , version 1 (08-01-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01677460 , version 1

Citer

Frederic Schuster, Francis Maury, Alexandre Michau, Michel Pons, Raphael Boichot, et al.. Procédé de Dépôt d'un revetêment par DLI-MOCVD avec recyclage direct du composé précurseur. France, Patent n° : WO2017103546 - 2017-06-22, PCT/FR2016053541 - 2016-12-17. 2017. ⟨hal-01677460⟩
210 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More