Silver sintered double-sided cooling power package process for controlled Si power semiconductor devices with aluminum top-metallization - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Silver sintered double-sided cooling power package process for controlled Si power semiconductor devices with aluminum top-metallization

Barriere Maxime
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Stephane Azzopardi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 841232
Raphaël Roder
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 960129
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Isabelle Favre
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Eric Woirgard
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 853176
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Serge Bontemps
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 936219
Microsemi Power Module Products
François Le Henaff
  • Fonction : Auteur
Fiabilité / Puissance

Domaines

Electronique

Eric Woirgard  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01671837

Soumis le : vendredi 22 décembre 2017-16:31:05

Dernière modification le : jeudi 15 février 2024-15:05:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01671837 , version 1 (22-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01671837 , version 1

Citer

Barriere Maxime, Stephane Azzopardi, Raphaël Roder, Isabelle Favre, Eric Woirgard, et al.. Silver sintered double-sided cooling power package process for controlled Si power semiconductor devices with aluminum top-metallization. IEEE International Workshop On Integrated Power Packaging IWIPP, May 2015, Chicago, United States. ⟨hal-01671837⟩

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