Comparative Analysis of Growth Rate Enhancement and Ge Redistribution during Silicon-Germanium Oxidation by Rapid Thermal Oxidation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2016

Comparative Analysis of Growth Rate Enhancement and Ge Redistribution during Silicon-Germanium Oxidation by Rapid Thermal Oxidation

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Elisabeth BLANQUET  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01656081

Soumis le : mardi 5 décembre 2017-14:19:54

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Dates et versions

hal-01656081 , version 1 (05-12-2017)

Identifiants

Citer

F. Roze, O. Gourhant, E. Blanquet, F. Bertin, M. Juhel, et al.. Comparative Analysis of Growth Rate Enhancement and Ge Redistribution during Silicon-Germanium Oxidation by Rapid Thermal Oxidation. ECS Transactions, 2016, 75 (8), pp.67 - 78. ⟨10.1149/07508.0067ecst⟩. ⟨hal-01656081⟩

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