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Communication Dans Un Congrès Année : 1997

Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01648141

Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-18:43:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-01648141 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01648141 , version 1

Citer

Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, et al.. Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature. IEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design, 1997, Kassel, Germany. ⟨hal-01648141⟩

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