Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Proceedings of the IEEE Année : 2017

Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications

Michael Schroter
  • Fonction : Auteur
Colombo R. Bolognesi
  • Fonction : Auteur
Vincenzo d'Alessandro
  • Fonction : Auteur
Maria Alexandrova
  • Fonction : Auteur
Josef Bock
  • Fonction : Auteur
Ralf Flickiger
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Bernd Heinemann
  • Fonction : Auteur
C. Jungemann
  • Fonction : Auteur
Rickard Lovblom
  • Fonction : Auteur
Olivier Ostinelli
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Andreas Pawlak
  • Fonction : Auteur
Niccolo Rinaldi
  • Fonction : Auteur
Holger Rucker
  • Fonction : Auteur
Gerald Wedel
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Dates et versions

hal-01639677 , version 1 (20-11-2017)

Identifiants

Citer

Pascal Chevalier, Michael Schroter, Colombo R. Bolognesi, Vincenzo d'Alessandro, Maria Alexandrova, et al.. Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications. Proceedings of the IEEE, 2017, 105 (6), pp.1035 - 1050. ⟨10.1109/JPROC.2017.2669087⟩. ⟨hal-01639677⟩
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