Intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures in self-assembled nanowire and 2D layers

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physica status solidi (b), Wiley, 2017, 254 (8), pp.1600734. 〈10.1002/pssb.201600734〉
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Contributeur : Martien Den Hertog <>
Soumis le : lundi 20 novembre 2017 - 11:23:41
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:46

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Akhil Ajay, Caroline B. Lim, David A. Browne, Jakub Polaczynski, Edith Bellet-Amalric, et al.. Intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures in self-assembled nanowire and 2D layers. physica status solidi (b), Wiley, 2017, 254 (8), pp.1600734. 〈10.1002/pssb.201600734〉. 〈hal-01638807〉

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