Effects of gallium doping and thermal annealing on the physical properties of tin sulphide thin films

Meriem Reghima; Anis Akkari; Cathy Guasch; Najoua Turki-Kamoun

doi:10.1063/1.4918740

Article Dans Une Revue Journal of Renewable and Sustainable Energy Année : 2015

Effects of gallium doping and thermal annealing on the physical properties of tin sulphide thin films

(1, 2) , , (1, 3) ,

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3

Meriem Reghima

Fonction : Auteur

Institut d’Electronique et des Systèmes

Faculté des Sciences de Bizerte [Université de Carthage]

Anis Akkari

Fonction : Auteur

Cathy Guasch

Fonction : Auteur
PersonId : 21829
IdHAL : cathy-guasch
ORCID : 0000-0003-3202-4165

Institut d’Electronique et des Systèmes

Radiations et composants

Najoua Turki-Kamoun

Fonction : Auteur

Domaines

Electronique

Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01635718

Soumis le : mercredi 15 novembre 2017-15:51:02

Dernière modification le : mercredi 13 septembre 2023-11:08:04

Dates et versions

hal-01635718 , version 1 (15-11-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01635718 , version 1
DOI : 10.1063/1.4918740

Citer

Meriem Reghima, Anis Akkari, Cathy Guasch, Najoua Turki-Kamoun. Effects of gallium doping and thermal annealing on the physical properties of tin sulphide thin films. Journal of Renewable and Sustainable Energy, 2015, 7 (2), ⟨10.1063/1.4918740⟩. ⟨hal-01635718⟩

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