Nanoscale imaging and X-ray spectroscopy of electrically active defects in ultra thin dielectrics on silicon
Résumé
no abstract
Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2007
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https://hal.science/hal-01633142
Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:50
Dernière modification le : mardi 23 juillet 2019-11:16:04
Citer
S. Bernardini, M. Ishii, E. Whittaker, B. Hamilton, J. W. Freeland, et al.. Nanoscale imaging and X-ray spectroscopy of electrically active defects in ultra thin dielectrics on silicon. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.2286-2289. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.054⟩. ⟨hal-01633142⟩
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