TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices

Mukherjee Kalparupa (1, 2) , Frédéric Darracq (1, 2) , Arnaud Curutchet (3, 2) , Nathalie Malbert (1, 2) , Nathalie Labat (1, 2)

1 UB - Université de Bordeaux
2 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
3 ENSEIRB-MATMECA - École Nationale Supérieure d’Électronique, Informatique, Télécommunications, MATMECA de Bordeaux (Institut Polytechnique de Bordeaux (INP Bordeaux))

Domaines: Electronique

Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices. Microelectronics Reliability, 2017. ⟨hal-01625567⟩