Article Dans Une Revue
Applied Surface Science
Année : 2017
Didier Chaussende : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01620939
Soumis le : dimanche 22 octobre 2017-11:22:51
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Citer
Sven Tengeler, Bernhard Kaiser, Didier Chaussende, Wolfram Jaegermann. (001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes. Applied Surface Science, 2017, 400, pp.6 - 13. ⟨10.1016/j.apsusc.2016.12.136⟩. ⟨hal-01620939⟩
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