Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives

(1) , , (1)

1

Sidi Ould Saad Hamady

Fonction : Auteur
PersonId : 7475
IdHAL : sidi-ould-saad-hamady
ORCID : 0000-0002-0480-6381
IdRef : 061189022

Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes

Adaine Abdoulwahab

Fonction : Auteur
PersonId : 8707
IdHAL : abdoulwahab-adaine
ORCID : 0000-0003-0824-0685
IdRef : 229968899

Nicolas Fressengeas

Fonction : Auteur
PersonId : 309
IdHAL : fresseng
ORCID : 0000-0002-5534-712X
IdRef : 109179668

Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique

workshop___ingan.pdf (401.08 Ko)

Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Sidi OULD SAAD HAMADY : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01620576

Soumis le : vendredi 20 octobre 2017-17:07:04

Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-14:06:26

Dates et versions

hal-01620576 , version 1 (20-10-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01620576 , version 1

Citer

Sidi Ould Saad Hamady, Adaine Abdoulwahab, Nicolas Fressengeas. Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives. Workshop Matériaux pour l’Optique & Photonique, Oct 2017, Nancy, France. ⟨hal-01620576⟩

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