Growth of aluminum nitride on flat and patterned Si (111) by high temperature halide CVD

Croissance de nitrure d'aluminium sur substrat plan et structuré de Si(111) par CVD haute température aux hydrures

Gabriel Ferro (1) , Mikhail Chubarov (2) , Frédéric Mercier (2) , Sabine Lay (2) , Frédéric Charlot (3) , Alexandre Crisci (2) , Stéphane Coindeau (2) , Thierry Encinas (3) , Roman Reboud (2) , Raphaël Boichot (2)

1 LMI - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
2 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
3 CMTC - Consortium des Moyens Technologiques Communs

Domaines: Matériaux; Matériaux; Génie des procédés

Gabriel Ferro, Mikhail Chubarov, Frédéric Mercier, Sabine Lay, Frédéric Charlot, et al.. Growth of aluminum nitride on flat and patterned Si (111) by high temperature halide CVD. Thin Solid Films, 2017, 623, pp.65 - 71. ⟨10.1016/j.tsf.2016.11.045⟩. ⟨hal-01615193⟩