Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind

Résumé : Cet article décrit la mise en place d'une technologie CMOS 10 nm haute performance FinFET dans l'outil éducatif Microwind. Des concepts liés à la conception des transistors FinFET et à la conception pour faciliter la fabrication sont également décrits. Les performances d'un oscillateur en anneau et d'une structure de mémoire RAM à 6 transistors sont également analysées.
Type de document :
Autre publication
This paper describes the implementation of a high performance FinFET-based 10-nm CMOS Technology .. 2017
Liste complète des métadonnées

Littérature citée [5 références]  Voir  Masquer  Télécharger

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01551695
Contributeur : Etienne Sicard <>
Soumis le : vendredi 30 juin 2017 - 14:32:24
Dernière modification le : vendredi 7 juillet 2017 - 01:01:51

Fichier

Appl Note 10nm - v5.pdf
Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01551695, version 1

Collections

Citation

Etienne Sicard. Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind. This paper describes the implementation of a high performance FinFET-based 10-nm CMOS Technology .. 2017. 〈hal-01551695〉

Partager

Métriques

Consultations de
la notice

11

Téléchargements du document

69