Étude de la robustesse de l’oxyde de grille pour des applications aéronautiques
Résumé
Aeronautics industry is working towards a more electrified aircraft. That represents a challenge and involves the use of new technologies as silicon carbide (SiC) for the conception of MOSFET transistors. However, this technology presents some reliability problems as short-circuit and avalanche mode robustness as well as the threshold voltage instability and gate oxide reliability. This paper presents the principal issues on SiC MOSFETs reliability, as well as a study of threshold voltage instability and gate oxide reliability. The results presented in this paper will show that gate oxide reliability problems have been dramatically reduced. However, it remains some voltage threshold instability when internal diode is required. Concerning the gate oxide robustness, it is possible to conclude that SiC MOSFETs are relatively reliable for industrial applications.MOTS-CLES
Dans la cadre d’un avion plus électrique, de nouveaux défis se présentent. Parmi eux, l’évaluation de nouvelles technologies telles que le carbure de silicium pour la conception des interrupteurs MOSFET. Cette technologie présente des problèmes de fiabilité tels que la robustesse face au phénomène d’avalanche, face aux courts-circuits, ainsi que l’instabilité de la tension de seuil et la robustesse de l’oxyde de grille. Ce papier présente les principaux problèmes de fiabilité ainsi qu’une étude sur la robustesse de l’oxyde de grille et l’instabilité de la tension de seuil. Les résultats obtenus montrent que les problèmes liés à l’oxyde de grille se sont beaucoup minimisé, bien qu’il reste quelques problèmes sur la stabilité de la tension de seuil des qu’on sollicite la diode interne. Donc, on peut conclure que les MOSFET SiC sont relativement robustes pour des applications industrielles en ce qui concerne la fiabilité de l’oxyde de grille.