Amplificateur de puissance MASMOS à cellules de puissance reconfigurables pour applications LTE
Résumé
Cet article présente un amplificateur de puissance (PA) basé sur le transistor MASMOS. Le PA proposé satisfait les spécifications en puissance du standard LTE avec un haut rendement. Le transistor MASMOS est fabriqué en technologie CMOS 180 nm standard et résout le problème des faibles tensions de claquage des transistors CMOS usuels. Le circuit est basé sur une cellule de puissance
reconfigurable implémentant des transistors MASMOS redimensionnables, ce qui permet un contrôle discret de sa consommation ainsi que de sa puissance de sortie. La reconfiguration de la cellule permet une consommation réduite de deux-tiers pour une puissance de sortie jusqu’à 15 dBm. Cela permet d’utiliser la même cellule en driver, et donc de créer un PA à deux étages sans dégrader les performances de la cellule de puissance seule. Le PA ainsi formé délivre une puissance de 30,2 dBm avec 21,8 dB de gain et une PAE de 54% à la fréquence de 2,5 GHz.