Porous silicon irradiated in the electronic regime: Modelling the damage cross-section
Résumé
no abstract
Laboratoire INL UMR5270 Inl : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01489816
Soumis le : mardi 14 mars 2017-16:36:34
Dernière modification le : lundi 5 février 2024-11:54:05