BaTiO3 grown on Si (001) by Molecular Beam Epitaxy for low power field-effect devices

Lucie Mazet (1) , Romain Bachelet (1) , Lamis Louahadj (1) , David Albertini (2, 3) , Brice Gautier (2) , Guillaume Saint-Girons (1) , Catherine Dubourdieu (4)

1 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
2 INL - DE - INL - Dispositifs Electroniques
3 INL - Nanolyon - INL - Plateforme Technologique Nanolyon
4 INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon

no abstract

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Optique / photonique; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Matériaux

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Lamis Louahadj, David Albertini, Brice Gautier, et al.. BaTiO3 grown on Si (001) by Molecular Beam Epitaxy for low power field-effect devices. BaTiO3 grown on Si (001) by Molecular Beam Epitaxy for low power field-effect devices, 2014, Ecully, France. 2014. ⟨hal-01489807⟩