InAs/InP quantum dot nanowires with abrupt interfaces grown on silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

InAs/InP quantum dot nanowires with abrupt interfaces grown on silicon

Résumé

no abstract

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Laboratoire INL UMR5270 Inl  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01489077

Soumis le : mardi 14 mars 2017-11:06:23

Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2023-13:10:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01489077 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489077 , version 1

Citer

Amaury Mavel, Nicolas Chauvin, Philippe Regreny, G. Patriarche, Bruno Masenelli, et al.. InAs/InP quantum dot nanowires with abrupt interfaces grown on silicon. MBE 2016 - 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2016, Montpellier, France. ⟨hal-01489077⟩

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