Growth of self-catalyzed GaAs NWs on silicon substrate depending on the nature of the surface oxide

A. Benali (1, 2) , Xin Guan (1) , Jeanne Becdelievre (1) , Philippe Regreny (1) , Jose Penuelas (1) , Claude Botella (1) , Geneviève Grenet (1) , Anne Kaminski-Cachopo (2) , Michel Gendry (1)

1 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Optique / photonique

A. Benali, Xin Guan, Jeanne Becdelievre, Philippe Regreny, Jose Penuelas, et al.. Growth of self-catalyzed GaAs NWs on silicon substrate depending on the nature of the surface oxide. Journées Surfaces et Interfaces (JSI 2016), Jan 2016, Marseille, France. ⟨hal-01489055⟩