Growth of Ge on Si(001) studied in situ by grazing incidence small angle X-ray scattering

F. Leroy; J. Eymery; D. Buttard; G. Renaud; R. Lazzari

doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.11.246

Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2005

Growth of Ge on Si(001) studied in situ by grazing incidence small angle X-ray scattering

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F. Leroy

Fonction : Auteur

Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

J. Eymery

Fonction : Auteur
PersonId : 21210
IdHAL : joel-eymery
ORCID : 0000-0002-4216-1166
IdRef : 07759553X

Service de Physique des Matériaux et Microstructures

D. Buttard

Fonction : Auteur

Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures

G. Renaud

Fonction : Auteur

R. Lazzari

Fonction : Auteur
PersonId : 182273
IdHAL : remi-lazzari
ORCID : 0000-0003-2354-1953
IdRef : 175357587

Oxydes en basses dimensions

Domaines

Chimie-Physique [physics.chem-ph] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Electromagnétisme Optique / photonique

Rémi Lazzari : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01442910

Soumis le : samedi 21 janvier 2017-15:38:44

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:10

Dates et versions

hal-01442910 , version 1 (21-01-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01442910 , version 1
DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.246

Citer

F. Leroy, J. Eymery, D. Buttard, G. Renaud, R. Lazzari. Growth of Ge on Si(001) studied in situ by grazing incidence small angle X-ray scattering. Journal of Crystal Growth, 2005, 275 (1-2), pp.e2195 - e2200. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2004.11.246⟩. ⟨hal-01442910⟩

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