High Switching Speed DC-DC Architecture Based on Normally-On Wide Bandgap HEMT Devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

High Switching Speed DC-DC Architecture Based on Normally-On Wide Bandgap HEMT Devices

Anthony Disserand
Systèmes RF
Olivier Jardel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949138
Alcatel-Thales III-V Lab
Philippe Bouysse
Systèmes RF
Audrey Martin
Systèmes RF
Raymond Quéré
Systèmes RF
Benoit Lefebvre
  • Fonction : Auteur
Luc Lapierre
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 951908
Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]

Domaines

Electronique

Philippe Bouysse  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01432516

Soumis le : mercredi 11 janvier 2017-17:16:20

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01432516 , version 1 (11-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01432516 , version 1

Citer

Anthony Disserand, Olivier Jardel, Philippe Bouysse, Audrey Martin, Raymond Quéré, et al.. High Switching Speed DC-DC Architecture Based on Normally-On Wide Bandgap HEMT Devices. 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop, ESA-ECSAT, Sep 2016, Harwell, United Kingdom. ⟨hal-01432516⟩

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