Electric-field-induced magnetization reorientation in a (Ga,Mn)As/(Ga,Mn)(As,P) bilayer with out-of-plane anisotropy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2014

Electric-field-induced magnetization reorientation in a (Ga,Mn)As/(Ga,Mn)(As,P) bilayer with out-of-plane anisotropy

M. Cormier
  • Fonction : Auteur
V. Jeudy
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Physique des Solides
T. Niazi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de photonique et de nanostructures
D. Lucot
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de photonique et de nanostructures
M. Granada
  • Fonction : Auteur
Joel Cibert
Nanophysique et Semiconducteurs
A. Lemaître
Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mardi 10 janvier 2017-11:05:46

Dernière modification le : vendredi 5 avril 2024-03:25:32

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Dates et versions

hal-01430735 , version 1 (10-01-2017)

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Citer

M. Cormier, V. Jeudy, T. Niazi, D. Lucot, M. Granada, et al.. Electric-field-induced magnetization reorientation in a (Ga,Mn)As/(Ga,Mn)(As,P) bilayer with out-of-plane anisotropy. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2014, 90 (17), pp.174418. ⟨10.1103/PhysRevB.90.174418⟩. ⟨hal-01430735⟩

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