Upset Hardened Memory Design for Submicron CMOS Technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1996
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01412461 , version 1 (08-12-2016)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

  • HAL Id : hal-01412461 , version 1

Citer

T. Calin, M. Nicolaidis, Raoul Velazco. Upset Hardened Memory Design for Submicron CMOS Technology. 33rd International Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC'96), Jul 1996, Indian Wells, CA United States. ⟨hal-01412461⟩

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UGA CNRS TIMA
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