Modeling Non-Quasi-Static Effects in SiGe HBTs Using Improved Charge Partitioning Scheme

Noel Augustine; Khamesh Kumar; Arkaprava Bhattacharyya; Thomas Zimmer; Anjan Chakravorty

doi:10.1109/TED.2012.2202236

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2012

Modeling Non-Quasi-Static Effects in SiGe HBTs Using Improved Charge Partitioning Scheme

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Noel Augustine

Fonction : Auteur

Indian Institute of Technology Madras

Khamesh Kumar

Fonction : Auteur

Indian Institute of Technology Madras

Arkaprava Bhattacharyya

Fonction : Auteur

Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Thomas Zimmer

Fonction : Auteur

Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Anjan Chakravorty

Fonction : Auteur

Indian Institute of Technology Madras

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01412448

Soumis le : jeudi 8 décembre 2016-14:24:31

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Dates et versions

hal-01412448 , version 1 (08-12-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01412448 , version 1
DOI : 10.1109/TED.2012.2202236

Citer

Noel Augustine, Khamesh Kumar, Arkaprava Bhattacharyya, Thomas Zimmer, Anjan Chakravorty. Modeling Non-Quasi-Static Effects in SiGe HBTs Using Improved Charge Partitioning Scheme. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (9), pp.2542 - 2545. ⟨10.1109/TED.2012.2202236⟩. ⟨hal-01412448⟩

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