Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

M. Jayasakthi; Sandrine Juillaguet; Herve Peyre; Leszek Konczewicz; K. Baskar; Sylvie Contreras

doi:10.1016/j.spmi.2016.08.053

Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2016

Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

, (1) , (1) , (1) , , (1)

M. Jayasakthi

Fonction : Auteur

Sandrine Juillaguet

Fonction : Auteur
PersonId : 995143

Laboratoire Charles Coulomb

Herve Peyre

Fonction : Auteur
PersonId : 984304

Laboratoire Charles Coulomb

Leszek Konczewicz

Fonction : Auteur
PersonId : 995144

Laboratoire Charles Coulomb

K. Baskar

Fonction : Auteur

Sylvie Contreras

Fonction : Auteur
PersonId : 740562
IdHAL : sylvie-contreras
ORCID : 0000-0002-4733-9998
IdRef : 194459241

Laboratoire Charles Coulomb

Résumé

Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

Mots clés

AlGaN MOCVD HRXRD PL AFM

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

L2c Aigle : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01407865

Soumis le : vendredi 2 décembre 2016-15:55:23

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

Dates et versions

hal-01407865 , version 1 (02-12-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01407865 , version 1
DOI : 10.1016/j.spmi.2016.08.053

Citer

M. Jayasakthi, Sandrine Juillaguet, Herve Peyre, Leszek Konczewicz, K. Baskar, et al.. Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD. Superlattices and Microstructures, 2016, 98, pp.515-521. ⟨10.1016/j.spmi.2016.08.053⟩. ⟨hal-01407865⟩

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Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

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