Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis

Chhandak Mukherjee; Thomas Jacquet; Anjan Chakravorty; Thomas Zimmer; Josef Bock; Klaus Aufinger; Cristell Maneux

doi:10.1109/TED.2016.2589159

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2016

Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis

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Chhandak Mukherjee

Fonction : Auteur
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IdHAL : chhandak-mukherjee
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IdRef : 228231779

Thomas Jacquet

Fonction : Auteur

Anjan Chakravorty

Fonction : Auteur

Thomas Zimmer

Fonction : Auteur

Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Josef Bock

Fonction : Auteur

Klaus Aufinger

Fonction : Auteur

Cristell Maneux

Fonction : Auteur
PersonId : 15639
IdHAL : cristell-maneux
ORCID : 0000-0001-9125-5372
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01399855

Soumis le : lundi 21 novembre 2016-09:43:30

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Dates et versions

hal-01399855 , version 1 (21-11-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01399855 , version 1
DOI : 10.1109/TED.2016.2589159

Citer

Chhandak Mukherjee, Thomas Jacquet, Anjan Chakravorty, Thomas Zimmer, Josef Bock, et al.. Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (9), pp.3649 - 3656. ⟨10.1109/TED.2016.2589159⟩. ⟨hal-01399855⟩

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