Comments on “Optimization of a Compact I–V Model for Graphene FETs: Extending Parameter Scalability for Circuit Design Exploration” - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2016

Comments on “Optimization of a Compact I–V Model for Graphene FETs: Extending Parameter Scalability for Circuit Design Exploration”

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : vendredi 18 novembre 2016-12:24:36

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Citer

Sebastien Fregonese, Thomas Zimmer. Comments on “Optimization of a Compact I–V Model for Graphene FETs: Extending Parameter Scalability for Circuit Design Exploration”. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (5), pp.2224 - 2225. ⟨10.1109/TED.2016.2540920⟩. ⟨hal-01399083⟩

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