Indirect excitons in wide band gap semiconductors. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Indirect excitons in wide band gap semiconductors.

Fedor Fedichkin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 966627
Laboratoire Charles Coulomb
Benoit Jouault
Laboratoire Charles Coulomb
CV
Thierry Guillet
Laboratoire Charles Coulomb
Christelle Brimont
Laboratoire Charles Coulomb
Pierre Valvin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 987631
Laboratoire Charles Coulomb
Thierry Bretagnon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860790
Laboratoire Charles Coulomb
Lise Lahourcade
  • Fonction : Auteur
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne
Nicolas Grandjean
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860908
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne
Pierre Lefebvre
Laboratoire Charles Coulomb
CV
Maria Vladimirova
  • Fonction : Orateur
  • PersonId : 865442
Laboratoire Charles Coulomb

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

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https://hal.science/hal-01389731

Soumis le : samedi 29 octobre 2016-10:16:54

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01389731 , version 1 (29-10-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01389731 , version 1

Citer

Fedor Fedichkin, Benoit Jouault, Thierry Guillet, Christelle Brimont, Pierre Valvin, et al.. Indirect excitons in wide band gap semiconductors.. International School on Nanophotonics and Photovoltaics. INSP 2015., MISP : Mediterranean Institute of Fundamental Physics, Sep 2015, Cefalu, Italy. ⟨hal-01389731⟩

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