R. Radhakrishnan and J. H. Zhao, IEEE Electron Device Letters, vol.32, p.785, 2011.

L. Lanni, B. G. Malm, M. Östling, and C. Zetterling, IEEE Electron Device Let, vol.35, pp.4-428, 2014.

N. Thierry-jebali, M. Lazar, A. Vo-ha, D. Carole, V. Soulière et al., Sci. Forum. 778, vol.780, p.639, 2014.

M. Lazar, M. Lazar, F. Enoch, F. Laariedh, D. Planson et al., Mater. Sci. Forum. 679, vol.680, p.477, 2011.

K. Fujikawa, T. Masuda, H. Tamaso, K. Shibata, S. Harada et al., REVIEW, vol.61, p.77, 2006.

E. Oliviero, M. Lazar, A. Gardon, C. Peaucelle, A. Perrat et al., Nucl. Instrum. Meth. B, vol.257, p.265, 2007.

D. Carole, S. Berckmans, A. Vo-ha, M. Lazar, D. Tournier et al., Mater. Sci. Forum. 717, vol.720, p.169, 2012.

N. Thierry-jebali, M. Lazar, A. Vo-ha, D. Carole, V. Soulière et al., Sci. Forum, vol.740, p.911, 2013.

F. Laariedh, . Lazar, . Cremillieu, J. Penuelas, D. Leclercq et al., Semicond.Sci Tech, vol.28, p.45007, 2013.