High-Fidelity and Ultrafast Initialization of a Hole Spin Bound to a Te Isoelectronic Center in ZnSe - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review Letters Année : 2016

High-Fidelity and Ultrafast Initialization of a Hole Spin Bound to a Te Isoelectronic Center in ZnSe

P. St-Jean
  • Fonction : Auteur
École Polytechnique de Montréal
G. Éthier-Majcher
  • Fonction : Auteur
École Polytechnique de Montréal
R. André
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
S. Francoeur
  • Fonction : Auteur
École Polytechnique de Montréal

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

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https://hal.science/hal-01385673

Soumis le : vendredi 21 octobre 2016-18:23:48

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:21:46

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Dates et versions

hal-01385673 , version 1 (21-10-2016)

Identifiants

Citer

P. St-Jean, G. Éthier-Majcher, R. André, S. Francoeur. High-Fidelity and Ultrafast Initialization of a Hole Spin Bound to a Te Isoelectronic Center in ZnSe. Physical Review Letters, 2016, 117 (16), pp.167401. ⟨10.1103/PhysRevLett.117.167401⟩. ⟨hal-01385673⟩

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