Reliability of Gate Oxide Stacks Studied by Scanning Probe Microscopy under Ultra High Vacuum

M. Kogelschatz; R. Foissac; S. Blonkowski; P. Delcroix; M. Gros-Jean

Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Reliability of Gate Oxide Stacks Studied by Scanning Probe Microscopy under Ultra High Vacuum

(1) , (2, 3, 1) , (2) , (1) , (4)

1
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3
4

M. Kogelschatz

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

R. Foissac

Fonction : Auteur

STMicroelectronics [Crolles]

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Laboratoire des technologies de la microélectronique

S. Blonkowski

Fonction : Auteur

STMicroelectronics [Crolles]

P. Delcroix

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

M. Gros-Jean

Fonction : Auteur

Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01376679

Soumis le : mercredi 5 octobre 2016-14:30:00

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

Dates et versions

hal-01376679 , version 1 (05-10-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01376679 , version 1

Citer

M. Kogelschatz, R. Foissac, S. Blonkowski, P. Delcroix, M. Gros-Jean. Reliability of Gate Oxide Stacks Studied by Scanning Probe Microscopy under Ultra High Vacuum. 9th International Materials Technology Conference & Exhibition , May 2014, Kuala Lumpur, Malaysia. ⟨hal-01376679⟩

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