Planar Edge Schottky Barrier-Tunneling Transistors Using Epitaxial Graphene/SiC Junctions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nano Letters Année : 2014

Planar Edge Schottky Barrier-Tunneling Transistors Using Epitaxial Graphene/SiC Junctions

Jan Kunc
  • Fonction : Auteur
Yike Hu
  • Fonction : Auteur
James Palmer
  • Fonction : Auteur
Zelei Guo
  • Fonction : Auteur
John Hankinson
  • Fonction : Auteur
Salah H. Gamal
  • Fonction : Auteur
Claire Berger
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01369053 , version 1 (20-09-2016)

Identifiants

Citer

Jan Kunc, Yike Hu, James Palmer, Zelei Guo, John Hankinson, et al.. Planar Edge Schottky Barrier-Tunneling Transistors Using Epitaxial Graphene/SiC Junctions. Nano Letters, 2014, 14 (9), pp.5170-5175. ⟨10.1021/nl502069d⟩. ⟨hal-01369053⟩

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